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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division NSB8GTHE3_B/P
| Artikelnummer: | NSB8GTHE3_B/P |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 2000+ | $0.693 |
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- Spezifikationen
- Einkaufshandbuch
- Versandinformationen
- Verpackung
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division NSB8GTHE3_B/P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments NSB8GTHE3_B/P.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.1 V @ 8 A Spannung - Sperr (Vr) (max) 400 V Technologie Standard Supplier Device-Gehäuse TO-263AB (D²PAK) Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Serie Automotive, AEC-Q101 Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Produkteigenschaften Eigenschaften Paket Tube Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 150°C Befestigungsart Surface Mount Strom - Sperrleckstrom @ Vr 10 µA @ 400 V Strom - Richt (Io) 8A Kapazität @ Vr, F 55pF @ 4V, 1MHz Grundproduktnummer NSB8 -
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